G08N06S
Goford Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | G08N06S |
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Hersteller / Marke: | Goford Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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4000+ | $0.107 |
16000+ | $0.098 |
32000+ | $0.089 |
48000+ | $0.082 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
Serie | G |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 979 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Ta) |
DSUB CON D*MA SKT 22HD 50NM
N20V, 12A, RD<11.3M@4.5V,VTH0.5V
MOUNTING BRACKET WM 50-1
MOUNTING BRACKET WM 80-1
CONTACT
LINEAR STAGE TB 80-25
CONTACTS
N20V, 8A, RD<12.3M@4.5V,VTH0.5V~
MOUNTING BRACKET WM 50-2
PRISM STAGE 40 S
MOUNTING BRACKET WM 80-2
LINEAR STAGE TB 50-16
P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
CONTACTS
DSUB CON D*MA PIN 22HD 50NM
P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
N30V,8A,RD<20M@10V,VTH1.0V~2.0V,
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() G08N06SGoford Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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